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笔趣阁 > 科幻网游 > 学霸的黑科技系统 > 第1485章 二代可控聚变的关键

第1485章 二代可控聚变的关键(第2页/共2页)

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会议结束了之后,将各部门的工作已经安排下去的陆舟,立刻投入到了二代可控聚变技术的研究中。

虽然这个时代的规则他并不是特别的了解,但搞科研总归就是那么回事儿。

选择一个大致的方向,然后通过不断的试错,摸索出一条可行的道路。而站在一名总设计师的立场上,需要他做的事情便是,规划出整个大型科研工程的框架,选择几条可能性最大的技术路线,然后为各领域的学术带头人制定战略方向,并尽一切可能减少试错的次数和时间成本。

目前二代可控聚变技术面临的三个问题,和当年他在一代可控聚变技术上面临的问题基本是一样的。

区别只是在于,难度的不同而已。

氘与氦三的散射截面比氘氚要小很多,前者在300keV下的截面只有0.8b,远小于后者,所以需要更多的能量输入,聚变的条件也就更为苛刻。

举个直观的例子,同样一个聚变堆,实现DT反应——也就是氘氚反应的温度,只需要一亿度就足够了。

然而而如果想要使氘与氦三发生聚变反应,并且令反应稳定的维持下去,需要的温度直接是几十亿度起跳。

温度仅仅这是其中的一个要素。

包括密度、还有约束时间,此三者缺一不可。

根据陆舟查阅到的文献资料,到目前为止,二代可控聚变所面临的核心问题,主要还是集中在反应温度方面。

尤其是如何将高温的等离子体约束并压缩在一个极小的区域内。

实现这一点所需的磁场的强度,将是一个非常恐怖的数字。

不过,虽然困难这么多,但陆舟却并不觉得这是一个无法解决的问题。

他在设计一代可控聚变堆芯的时候,也曾经为同样的问题而烦恼过。当时的情况不会比现在更加乐观,包括计算材料学在内,许多关键性的技术都只是刚刚冒出了一个模糊的萌芽,甚至还停留在概念的阶段。

然而在那样的时代背景下,他仍然带着一群优秀的工程师和学者们,完成了人类科学史上的奇迹。

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